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Q503

奈米及電子材料實驗室

近幾年來,隨著製程技術不斷創新改造,以及新的鐵電材料被研究,目前正夯的另一種記憶體種類為----鐵電性隨機存取記憶體(Ferroelectric Random Access Memory, FeRAM)與磁性隨機存取記憶體(Magnetic Random Access Memory, MRAM)元件,這些記憶元件具有的優點除了非揮發性之外,還有寫入資料速度快(約為100 ns 以下)。非揮發性記憶體元件中,以FeRAM 最受矚目,因為FeRAM 除了具有非揮發性之外,還有其他的優點。如寫入資料讀速度極快,工作電壓、工作電流、等候電流均極低、高積集度、高耐久性及抗輻射多項優點,同時也整合了DRAM 和Flash memory 的優點,因此勢必成為下個世代最有潛力的記憶體元件。研發具有較高極化量的鐵電材料,將是記憶體元件發展上極重要的課題之一。

研究方向:

(1) 陶瓷材料粉末與薄膜製程

(2) 半導體記憶體元件探討

(3) 其他電子材料之研究






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