Q503

近幾年來，隨著製程技術不斷創新改造，以及新的鐵電材料被研究，目前正夯的另一種記憶體種類為----鐵電性隨機存取記憶體(Ferroelectric Random Access Memory, FeRAM)與磁性隨機存取記憶體(Magnetic Random Access Memory, MRAM)元件，這些記憶元件具有的優點除了非揮發性之外，還有寫入資料速度快(約為100 ns 以下)。非揮發性記憶體元件中，以FeRAM 最受矚目，因為FeRAM 除了具有非揮發性之外，還有其他的優點。如寫入資料讀速度極快，工作電壓、工作電流、等候電流均極低、高積集度、高耐久性及抗輻射多項優點，同時也整合了DRAM 和Flash memory 的優點，因此勢必成為下個世代最有潛力的記憶體元件。研發具有較高極化量的鐵電材料，將是記憶體元件發展上極重要的課題之一。

研究方向：

(1) 陶瓷材料粉末與薄膜製程

(2) 半導體記憶體元件探討

(3) 其他電子材料之研究