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Q402-2

太陽能與光電元件實驗室

 實驗室目前主要朝向氮化鎵系列半導體元件。由於磊晶技術的成熟,以及電子元件的蓬勃開發下,以氮化鎵系列為材料之III-V 族半導體元件愈趨門。相對於其他半導體材料,氮化鎵系列具有相當大的直接能隙(Eg=3.41eV),能應用從藍綠光到紫外光等波段上,氮化鎵利用金屬銦以及鋁,藉由調整氮化鋁銦鎵之鋁與銦的含量,不同的比例組成可以調配出各種不同能隙的半導體材料。

本研究室研究領域為:

(i)  光檢測器

(ii) 固態照明技術

(iii)光電元件、光電半導體材料。






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