Q402-2

 實驗室目前主要朝向氮化鎵系列半導體元件。由於磊晶技術的成熟，以及電子元件的蓬勃開發下，以氮化鎵系列為材料之III-V 族半導體元件愈趨門。相對於其他半導體材料，氮化鎵系列具有相當大的直接能隙(Eg=3.41eV)，能應用從藍綠光到紫外光等波段上，氮化鎵利用金屬銦以及鋁，藉由調整氮化鋁銦鎵之鋁與銦的含量，不同的比例組成可以調配出各種不同能隙的半導體材料。